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Defects in GaN single crystals and homoepitaxial structures
Defects in GaN single crystals and homoepitaxial structures
Article/Chapitre
Auteurs: J.L. Weyher
Publication: Journal of Crystal Growth, Volume:281, Numéro:1
Publié: North-Holland, 2005
ISSN: 0022-0248
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Périodique:  Journal of Crystal Growth Source:Elsevier ScienceDirect Journals Ouvrir dans une nouvelle fenêtre
Collection:  Elsevier ScienceDirect Journals Ouvrir dans une nouvelle fenêtre
Étendue:
  • 1967-01~présent; volume:1~présent;issue:1~présent
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